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据日本共同社报道，台积电副总经理张晓强日前表示，不排除未来在日本生产先进芯片的可能性。另据报道，台积电在发布会上强调，2nm制程工艺（N2）研发顺利，能够按照此前目标于2025年量产。张晓强还表示，256Mb SRAM的良率已经超过50%，研发目标80%以上已完成。（财联社）